欢迎来到罗吉达集团！
产品分类：【UTC_友顺半导体】
4N80-FC 数据表 4A、800V N 沟道功率 MOSFET 描述 UTC 4N80-FC 提供出色的 R DS(ON) 、低栅极 充电和低栅极电压操作。这个装置是 适合用作负载开关或 PWM 应用。 特点0 * R DS(ON) ≤ 3.7 Ω @ V GS =10V，ID =2.0A * 低反向传输电容 * 快速切换能力 * 指定的雪崩能量 * 改进的 dv/dt 能力，高耐用性
产品详情
网上采购
CopyRight © 2021 rocketar.com All Rights Reserved. 深圳市罗吉达科技有限公司
此站支持多端浏览