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产品分类：【UTC_友顺半导体】
50N06 数据表 50 安培、60 伏 N 沟道功率 MOSFET 描述 UTC 50N06是三端硅器件，导流 能力约为50A，开关速度快。低导通电阻、60V 的再击穿电压额定值和4 伏的最大阈值电压。 主要适用于电子镇流器和小功率开关式功率电器。 特征 * RDS(ON) = 23mΩ@VGS = 10V * 超低栅极电荷（典型值 30 nC） * 低反向传输电容（CRSS = 典型值 80 pF） * 快速切换能力 * 指定 100% 雪崩能量 * 改进的 dv/dt 能力
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