1N60 数据表
1.2A、600V N 沟道功率 MOSFET
描述
UTC 1N60 是一款高压 MOSFET，旨在
具有更好的特性，如快速切换时间，低门
充电，低导通电阻，并具有高坚固性
雪崩特性。该功率 MOSFET 通常用于
电源、PWM 电机中的高速开关应用
控制，高效的直流到直流转换器和桥式电路。
特征
* VDS = 600V
* 内径 = 1.2A
* RDS(ON) =11.5Ω@VGS = 10V。
* 超低栅极电荷（典型值 5.0nC）
* 低反向传输电容（CRSS = 典型值 3.0 pF）
* 快速切换能力
* 指定的雪崩能量
* 改进的 dv/dt 能力，高耐用性