IGBT（insulated gate bipolar transistor），绝缘栅双极晶体管，由双极晶体管（BJT）和绝缘栅场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成，具有金属氧化物半导体场效应输入阻抗高的优点晶体管（MOSFET）和巨型晶体管（GTR）的低导通压降。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合了以上两种器件的优点，驱动功率小，饱和电压低。非常适用于直流电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器