1.2kV 28A 1.56V@10A肖特基二极管
型号： SL12010B
品牌： Slkor(萨科微)
封装： TO-220-2
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描述：二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1.2kV 平均整流电流(Io)：28A 正向压降(Vf)：1.56V@10A 反向电流(Ir)：2.5uA@1.2kV
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碳化硅肖特基二极管是一种金属半导体器件，是通过整流金属与N型半导体之间形成的接触势垒而制成的。肖特基二极管的基本结构为重掺杂N型4H-SiC晶片、4H-SiC外延层、肖特基接触层和欧姆接触层。碳化硅SBD弥补了硅SBD的不足。许多金属，如镍、金、钯、钛和钴，都可以与碳化硅形成肖特基接触，肖特基势垒高度在1 eV以上。Au/4H-SiC接触的势垒高度可以达到1.73 eV，Ti/4H-SiC接触的势垒高度相对较低，但最高势垒也可以达到1.1 eV。6H-SiC 与各种金属之间的肖特基势垒高度变化很大，范围从 0.5 eV 到 1.7 eV。